Ir ao contido principal
AVRM
  • Inicio
  • Calendario
  • Mis accesos
    Web IES Ricardo Mella Portal Educativo Formación profesional
  • Ir a Google
  • Máis
Galego ‎(gl)‎
English ‎(en)‎ Español - Internacional ‎(es)‎ Galego ‎(gl)‎
Neste momento está usando o acceso para convidados
Acceder
AVRM
Inicio Calendario Mis accesos Contraer Expandir
Web IES Ricardo Mella Portal Educativo Formación profesional
Ir a Google
Expandir todo Contraer todo
  1. Elementos de Sistemas de Telecomunicacións STI
  2. UD4B: Transistores
  3. Práctica 15: Transistor Bipolar en saturación

Práctica 15: Transistor Bipolar en saturación

Requisitos do completado

Cando o transistor está saturado, a tensión VCE é mínima (0,2 V) e a tensión VBE é máxima (0,8V)

Calcúlase a intensidade de colector : IC =(VCC-0,2) / RC

Para asegurar a saturación usamos o criterio : IB =5 · (IC /β)

Agora calculamos a resistencia de base: RB=(VBB - 0,8)/IB

Nota : No circuíto 2 polarízase a base do transistor cun sinal cuadrado de 5 V e frecuencia 0,5 Hz. Tomar o sinal da saída marcada como TTL no xerador de sinal.

  • pr15_BJT_Saturación.pdf pr15_BJT_Saturación.pdf
    4 de xuño de 2024, 7:52 PM
Neste momento está usando o acceso para convidados (Acceder)
Resumo da retención de datos
Políticas
Obter a apli móbil
Fornecido por Moodle